AS6C62256-55SINTR SRAM: Pinout, specifikacije, tajming i alternativni proizvod
2026-09-30 767

AS6C62256-55SINTR je niskopotrosna 256 Kbit SRAM iz Alliance Memory. Pruža 55 ns vrijeme pristupa i 8-bitni paralelni interfejs za privremeno skladištenje podataka. Ovaj vodič objašnjava njegov pinout, električne specifikacije, čitanje i pisanje tajminga, zadržavanje podataka, pakovanje i moguće alternative.

Katalog

Slika 1. AS6C62256-55SINTR 28-pinska SOP ambalaža

AS6C62256-55SINTR Pregled

AS6C62256-55SINTR je 256 Kbit SRAM iz Alliance Memory sa 55 ns vremenom pristupa i industrijskim radnim temperaturnim opsegom od −40 °C do +85 °C. Koristi 28-pinsku, 330 mil SOP površinsku montažnu ambalažu.

Alliance-ova tehnička dokumentacija identificira 55SIN kao 55 ns industrijsku SOP verziju. Alliance također navodi AS6C62256-55SIN kao 55 ns industrijsku SOP verziju narudžbe. Spisak proizvoda za puni AS6C62256-55SINTR narudžbeni kod specificira pakovanje u trakama.

Pošaljite RFQ da potvrdite količinu, cijenu, datum proizvodnje, stanje, pakovanje i vreme isporuke.

AS6C62256-55SINTR Arhitektura i Pinout

AS6C62256-55SINTR sadrži 32K × 8 memorijski niz. Ulazi adrese A0–A14 prolaze kroz dekoder adresa kako bi odabrali jednu od svojih 32.768 lokacija. Tokom čitanja, odabrana 8-bitna reč putuje kroz kolonu I/O i podatkovne krugove do DQ0–DQ7. Tokom pisanja, podaci prate istu putanju do odabrane lokacije.

Kontrolni krug koristi CE# za odabir čipa, WE# za kontrolu pisanja, i OE# za omogućavanje izlaza tokom čitanja. # označava aktivni nulti signal. VCC je pin za napajanje, a VSS je zemlja.

Način rada	CE#	OE#	WE#	DQ0–DQ7
Na stanju	H	X	X	Visoka impedansa
Izlaz onemogućen	L	H	H	Visoka impedansa
Čitanje	L	L	H	Izlaz podataka
Pisanje	L	X	L	Ulaz podataka

H znači visoko, L znači nisko, a X znači bilo koje stanje. Načini rada slijede tabelu istine Alliance Memory.

Slika 2. P pojednostavljeni funkcionalni blok dijagram AS6C62256-55SINTR SRAM, precrtan iz tehničke dokumentacije Alliance Memory

Pin	Signal	Pin	Signal
1	A14	28	VCC
2	A12	27	WE#
3	A7	26	A13
4	A6	25	A8
5	A5	24	A9
6	A4	23	A11
7	A3	22	OE#
8	A2	21	A10
9	A1	20	CE#
10	A0	19	DQ7
11	DQ0	18	DQ6
12	DQ1	17	DQ5
13	DQ2	16	DQ4
14	VSS	15	DQ3

Slika 3. AS6C62256-55SINTR 28-Pin SOP Pinout (Gornji pogled)

Koristite PDIP/SOP dijagram pinova za 28-pin SOP paket ovog dela. sTSOP verzija ima drugačiji raspored pinova.

Karakteristike i električne specifikacije AS6C62256-55SINTR

AS6C62256-55SINTR radi bez osvežavanja i pruža TTL-kompatibilne ulaze i izlaze. Njegovi trostadni izlazi omogućavaju deljenje podataka kada je čip isključen. Tabele u nastavku prikazuju specifikacije za industrijsku temperaturu, 28-pin SOP varijantu. Duga crta znači da vrednost nije navedena.

Opšte specifikacije

Parametar	AS6C62256-55SINTR specifikacija
Organizacija memorije	32.768 × 8 bita (256 Kbit)
Napon napajanja, VCC	2.7 do 5.5 V
Vreme pristupa	55 ns maksimalno
Operativna temperatura, TA	−40 do +85 °C
Paket	28-pin, 330 mil SOP
Format isporuke	Traka i kolut
Usaglašenost	Usaglašeno sa RoHS

Apsolutne maksimalne ocene

Parametar	Simbol	Ocena
Napon terminala u odnosu na VSS	VTERM	−0.5 do +7.0 V
Operativna temperatura, industrijska klasa	TA	−40 do +85 °C
Temperatura skladištenja	TSTG	−65 do +150 °C
Gubitak snage	PD	1 W
DC izlazna struja	IOUT	50 mA
Temperatura lemljenja	TSOLDER	260 °C manje od 10 sekundi

Apsolutne maksimalne ocene su granice naprezanja, a ne uslovi rada. Alliance Memory navodi raspon industrijske temperature u ovoj tabeli i identifikuje AS6C62256-55SIN kao industrijsku SOP varijantu u svojim informacijama o naručivanju.

DC električne karakteristike

Parametar	Simbol	Testni uslovi	Min.	Tip.	Max.
Napon visokog ulaza	VIH	Normalna operacija	2.4 V	—	VCC + 0.5 V
Napon niskog ulaza	VIL	Normalna operacija	−0.5 V	—	0.6 V
Ulazna struja curenja	ILI	VSS ≤ VIN ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Izlazna struja curenja	ILO	Izlaz isključen; VSS ≤ VOUT ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Napon visokog izlaza	VOH	IOH = −1 mA	2.4 V	3.0 V	—
Napon niskog izlaza	VOL	IOL = 2 mA	—	—	0.4 V
Operativna struja napajanja	ICC	Minimalno vreme ciklusa; CE# = VIL; I/O = 0 mA	—	15 mA	45 mA
Operativna struja napajanja	ICC1	Ciklus od 1 µs; CE# ≤ 0.2 V; I/O = 0 mA; drugi pini na 0.2 V ili VCC − 0.2 V	—	3 mA	10 mA
Struja napajanja u stanju pripravnosti	ISB	CE# = VIH	—	1 mA	3 mA
Industrijska struja napajanja u stanju pripravnosti	ISB1	CE# ≥ VCC − 0.2 V; drugi pini na 0.2 V ili VCC − 0.2 V	—	1 µA	30 µA

Tehnički list dozvoljava VIH do VCC + 3.0 V i VIL do VSS − 3.0 V samo za pulseve kraće od 10 ns. Ovo su karakterisani overshoot i undershoot uslovi, a ne normalne DC radne granice. Konkretno, oni ne uspostavljaju da je kontinuirani 5 V ulaz prihvatljiv kada je VCC 3.3 V. Tipične vrednosti su za referencu i nisu garantovane granice. Vrednost ISB1 primenjuje se samo pod navedenim uslovima testa u stanju pripravnosti.

Kapacitivnost i AC uslovi testa

Parametar	Uslov	Vrednost
Ulazna kapacitivnost, CIN	TA = 25 °C; f = 1.0 MHz	6 pF maksimalno
Ulazna/izlazna kapacitivnost, CI/O	TA = 25 °C; f = 1.0 MHz	8 pF maksimalno
Nivoi ulaznog impulsa	AC vremenski testovi	0.2 V do VCC − 0.2 V
Vremenski uspon i pad ulaza	AC vremenski testovi	3 ns
Vremensko referentno vreme ulaza i izlaza	AC vremenski testovi	1.5 V
Izlazno opterećenje	AC vremenska ispitivanja	CL = 50 pF + 1 TTL opterećenje; IOH/IOL = −1 mA/2 mA

Mjere kapaciteta su zagarantovane karakterizacijom uređaja, ali nisu testirane tokom proizvodnje.

AS6C62256-55SINTR Vremensko ispitivanje čitanja i pisanja

AS6C62256-55SINTR podržava čitanje kontrolisano adresom i čitanja kontrolisana sa CE# i OE#. Pisanje može završiti kada se WE# ili CE# podignu. Tabele daju vremenske limite za verziju od 55 ns.

Čitalački ciklusi

Slika 4. AS6C62256-55SINTR Vremenski obrasci čitalačkog ciklusa

Čitalački ciklus 1, kontrolisano adresom: Držite CE# i OE# niskim i WE# visokim. Promjena na A0–A14 bira sljedeću memorijsku lokaciju. Stari izlaz ostaje važeći nakratko nakon promjene adrese, zatim DQ0–DQ7 prikazuju podatke iz nove lokacije.

Čitalački ciklus 2, kontrolisano CE# i OE#: Sa WE# visokim i stabilnom adresom, smanjite CE# da odaberete čip i OE# da omogućite njegove izlaze. Podaci postaju važeći nakon isteka relevantnih vremenskih odlaganja za adresu, omogućavanje čipa i omogućavanje izlaza. Podizanje CE# ili OE# vraća izlaze u stanje visokog impedansa.

Parametar	Simbol	Min.	Max.
Vrijeme čitalačkog ciklusa	tRC	55 ns	—
Vrijeme pristupa adresi	tAA	—	55 ns
Vrijeme omogućavanja čipa	tACE	—	55 ns
Vrijeme omogućavanja izlaza	tOE	—	30 ns
Omogućavanje čipa do izlaza u Low-Z	tCLZ*	10 ns	—
Omogućavanje izlaza do izlaza u Low-Z	tOLZ*	5 ns	—
Onemogućavanje čipa do izlaza u High-Z	tCHZ*	—	20 ns
Onemogućavanje izlaza do izlaza u High-Z	tOHZ*	—	20 ns
Držanje izlaza nakon promjene adrese	tOH	10 ns	—

Pisalački ciklusi

Slika 5. AS6C62256-55SINTR Vremenski obrasci pisalačkog ciklusa

Pisalački ciklus 1, kontrolisano WE#: Držite CE# niskim, predstavite važeću adresu i pulsirajte WE# niskim. Postavite ulazne podatke na DQ0–DQ7 prije nego što se WE# podigne. Taj uzlazni rub završava pisanje.

Pisalački ciklus 2, kontrolisano CE#: Držite WE# niskim i pulsirajte CE# niskim dok su adresa i ulazni podaci važeći. Uzlazni rub CE# završava pisanje. U bilo kojem ciklusu, računajte na odlaganje onemogućavanja izlaza prije nego što vanjski uređaj prenese podatke na zajedničku DQ magistralu.

Parametar	Simbol	Min.	Max.
Vrijeme pisalačkog ciklusa	tWC	55 ns	—
Adresa važeća do kraja pisanja	tAW	50 ns	—
Omogućavanje čipa do kraja pisanja	tCW	50 ns	—
Vrijeme postavke adrese	tAS	0 ns	—
Širina pisnog pulsa	tWP	45 ns	—
Vrijeme oporavka pisanja	tWR	0 ns	—
Preklapanje vremena za pisanje podataka	tDW	25 ns	—
Držanje podataka nakon kraja pisanja	tDH	0 ns	—
Aktivnost izlaza nakon kraja pisanja	tOW*	5 ns	—
Pisanje u izlazu u High-Z	tWHZ*	—	20 ns

Tehnička specifikacija navodi CL = 5 pF za tCLZ, tOLZ, tCHZ, tOHZ, tOW i tWHZ. Njihova primjenjiva High-Z i Low-Z tranzicije mjere se ±500 mV od nivoa stabilnog izlaza. Ne primjenjujte opće uvjete opterećenja od 50 pF + 1 TTL na ovih šest parametara. Parametri sa zvjezdicom su zagarantovani karakterizacijom uređaja, ali nisu testirani tokom proizvodnje.

AS6C62256-55SINTR Održavanje podataka

Slika 6. Pojednostavljeni vremenski obrazac održavanja podataka AS6C62256, precrtano iz tehničkog lista Alliance Memory

Prije nego što VCC padne ispod normalnog minimalnog radnog napona od 2.7 V, podignite CE# visoko. Tokom održavanja podataka, održavajte VCC na ili iznad 1.5 V i CE# ≥ VCC − 0.2 V.

Parametar	Simbol	Uslov testiranja	Min.	Tip.	Max.
Napon opskrbe za održavanje podataka	VDR	CE# ≥ VCC − 0.2 V	1.5 V	—	5.5 V
Struja održavanja podataka	IDR	VCC = 2.0 V; CE# ≥ VCC − 0.2 V	—	0.5 µA	20 µA
Onemogućavanje čipa do vremena održavanja podataka	tCDR	Prije nego što VCC padne ispod radnog opsega	0 ns	—	—
Vrijeme oporavka	tR	Nakon što VCC vrati u radni opseg	tRC	—	—

Kada VCC vrati u normalni radni opseg od 2.7 V do 5.5 V, sačekajte najmanje jedan čitalački ciklus (tRC = 55 ns) prije nego što pristupite memoriji.

AS6C62256-55SINTR Dimenzije paketa i CAD modeli

28-pinsko SOP oblik paketa

Slika 7. AS6C62256 28-pinsko, 330 mil SOP oblik paketa

AS6C62256-55SINTR koristi 28-pinsko, 330 mil SOP pakovanje. Crtež paketa prikazuje uređaj sa vrha. Izabrane dimenzije paketa prikazane su u nastavku. Oslonite se na crtež paketa Alliance Memory za pune dimenzije i tolerancije.

Crtež simbol	Dimenzija
A	3.048 mm maksimum
A1	0.05 mm minimum
A2	2.489 ± 0.127 mm
b	0.406 mm tipično
D	18.491 mm maksimum
E	8.636 mm maksimum
E1	11.811 ± 0.305 mm
e	1.270 mm tipično

Koristite ove dimenzije sa crtežom proizvođača kada provjeravate PCB površinu i razmak za sklapanje.

Skematski simbol, PCB površina, i 3D model

Slika 8. AS6C62256-55SINTR skematski simbol, 28-pinsko SOP PCB površina, i 3D model paketa

AS6C62256-55SINTR Aplikacije

Alliance Memory identifikuje memoriju male potrošnje i backup memoriju kao aplikacije za AS6C62256. Uporabe u nastavku su praktični dizajnerski primjeri. Pogodnost ovisi o naponskoj napajanju sistema, paralelnom sučelju, kapacitetu memorije i zahtjevima za vremenom.

• Industrijski kontroleri: Industrijski kontroler može koristiti SRAM za privremena mjerenja ili radne podatke. Sa odgovarajućim rezervnim napajanjem, može zadržati podatke tokom prekida napajanja.

• Ugrađeni sistemi: Pruža 32 KB radne memorije kompatibilnom kontroleru.

• Prijenosni instrumenti: Drži očitavanja i privremene podatke u opremi na baterijsko napajanje.

• Oprema za evidentiranje podataka: Baferuje mjerenja pre obrade ili prenosa.

• Oprema za komunikaciju: Drži privremene podatke ili konfiguracione vrijednosti u kompatibilnom dizajnu.

AS6C62256-55SINTR Alternative i provjere kompatibilnosti

Trenutni prekursor Alliance Memory-a navodi AS6C62256-55SINTR kao zamjenu za CY62256NLL-55SNXIT. Ova lista opisuje zamjenu s Cypress dijela na Alliance dio. Ne potvrđuje da će Cypress dio raditi u suprotnom smjeru. Traktirajte ga kao inženjerskog kandidata koji zahtijeva verifikaciju prije korišćenja za zamjenu instaliranog AS6C62256-55SINTR.

Kandidat	Proizvođač prekursor odnos	Provjeriti prije obrnute zamjene
CY62256NLL-55SNXIT	Trenutni prekursor Alliance-a vodi ovaj Cypress narudžbeni kod do AS6C62256-55SINTR.	Uporedite naponsko napajanje, izlazni pin, SOP površinu, 55 ns vrijeme, temperaturni opseg i granice zadržavanja podataka.

Prije zamjene drugog uređaja, uporedite potpune narudžne kodove, pin veze, PCB površinu, naponsko napajanje, vrijeme čitanja i pisanja, radnu temperaturu, i zahtjeve za zadržavanje podataka.

Kada odabrati AS6C62256-55SINTR

Odaberite AS6C62256-55SINTR kada vaš dizajn zahteva 32K × 8 asinhronog SRAM-a sa 55 ns pristupom, opseg napajanja od 2.7–5.5 V, −40 °C do +85 °C industrijsku operaciju, i 28-pinsku, 330 mil SOP površinu. Također je kandidat za održavanje ploče koja već koristi ovaj tačan paket i izlaz.

Odaberite drugi memorijski uređaj ako vaš sistem zahteva serijsko sučelje, znatno veći kapacitet, ili drugačiju PCB površinu. AS6C62256-55SINTR je nestabilan: ako podaci moraju preživjeti gubitak glavnog napajanja, vaš dizajn mora zadržati odgovarajuće napajanje za zadržavanje.

Tehničke reference

• Alliance Memory, AS6C62256 Tehnička dokumentacija, revizija 1.2, 23. mart 2016.

• Alliance Memory, Cypress Semiconductor CY62256 Zamjena.

• Alliance Memory, Lako dostupne zamjene za CY62256 SRAM-ove male potrošnje, 2. avgust 2018.